De Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation heeft GT20N135SRA geïntroduceerd, een 1350V discrete IGBT voor IH-fornuizen op tafel, IH-rijstkokers, magnetrons en andere huishoudelijke apparaten die spanningsresonantiecircuits gebruiken. De IGBT heeft een collector-emitter-verzadigingsspanning van 1,75 V en een diode doorlaatspanning van 1,8 V, wat respectievelijk ongeveer 10% en 21% lager is dan voor het huidige product.
Zowel de IGBT als de diode hebben verbeterde geleidingsverlieskenmerken bij hoge temperaturen (T C = 100 ℃), en de nieuwe IGBT kan het stroomverbruik van de apparatuur helpen verminderen. Het heeft ook een thermische weerstand van de overgang naar de behuizing van 0,48 ℃ / W, ongeveer 26% lager dan die van de huidige producten, waardoor eenvoudiger thermische ontwerpen mogelijk zijn.
Kenmerken van GT20N135SRA IGBT
- Laag geleidingsverlies:
VCE (sat) = 1,6 V (typ.) (@ IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25 ℃)
VF = 1,75 V (typ.) (@ IF = 20 A, VGE = 0 V, Ta = 25 ℃)
- Lage thermische weerstand van junctie naar behuizing: Rth (jC) = 0,48 ℃ / W (max)
- Onderdrukt kortsluitstroom die door de resonantiecondensator vloeit wanneer apparatuur wordt ingeschakeld.
- Het brede veilige werkgebied
De nieuwe IGBT kan de kortsluitstroom onderdrukken die door de resonantiecondensator vloeit wanneer de apparatuur wordt ingeschakeld. De piekwaarde van de circuitstroom is 129A, ongeveer 31% reductie ten opzichte van het huidige product. De GT20N135SRA maakt het ontwerp van de apparatuur eenvoudiger in vergelijking met de andere vergelijkbare producten die tegenwoordig verkrijgbaar zijn, aangezien het veilige werkgebied wordt vergroot. Bezoek de officiële website van Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation voor meer informatie over GT20N135SRA.