Nieuwe 1700v sic voedingsmodule

ROHM kondigde de ontwikkeling aan van een SiC-voedingsmodule met een nominale spanning van 1700V / 250A die een hoge mate van betrouwbaarheid biedt, geoptimaliseerd voor omvormers en omvormertoepassingen, zoals stroomopwekkingssystemen voor buiten en industriële krachtige voedingen

Vanwege de energiebesparende voordelen wordt SiC de afgelopen jaren steeds vaker toegepast in 1200V-toepassingen zoals elektrische voertuigen en industriële apparatuur. De trend naar een hogere vermogensdichtheid heeft geresulteerd in hogere systeemspanningen, waardoor de vraag naar 1700V-producten toeneemt. Het was echter moeilijk om de gewenste betrouwbaarheid te bereiken, en daarom hebben IGBT's over het algemeen de voorkeur voor 1700V-toepassingen. Als reactie hierop was ROHM in staat om een ​​hoge betrouwbaarheid te bereiken bij 1700V, terwijl de energiebesparende prestaties van zijn populaire 1200V SiC-producten behouden bleven, waardoor 's werelds eerste succesvolle commercialisering van 1700V-rated SiC-vermogensmodules werd bereikt.

De BSM250D17P2E004 maakt gebruik van nieuwe constructiemethoden en coatingmaterialen om diëlektrische doorslag te voorkomen en een toename van lekstroom te onderdrukken. Als resultaat wordt een hoge betrouwbaarheid bereikt die diëlektrische storing voorkomt, zelfs na 1000 uur onder hoge temperatuur hoge luchtvochtigheidstest (HV-H3TRB). Dit zorgt voor een werking op hoogspanning (1700V), zelfs onder extreme temperaturen en vochtigheid.

Door ROHM's beproefde SiC MOSFET's en SiC Schottky-barrièrediodes in dezelfde module op te nemen en de interne structuur te optimaliseren, is het mogelijk om de ON-weerstand met 10% te verminderen ten opzichte van andere SiC-producten in zijn klasse. Dit vertaalt zich in verbeterde energiebesparingen en verminderde warmteafvoer bij elke toepassing.

Belangrijkste kenmerken

1. Bereikt het hoogste niveau van betrouwbaarheid in omgevingen met hoge temperaturen en hoge luchtvochtigheid

Deze nieuwste 1700V-module introduceert een nieuwe verpakkingsmethode en coatingmaterialen om de chip te beschermen, waardoor de eerste succesvolle commercialisering van een 1700V SiC-module kan worden bereikt, die de HV-H3TRB-betrouwbaarheidstests heeft doorstaan.

Tijdens het testen op hoge temperatuur en hoge luchtvochtigheid vertoonde de BSM250D17P2E004 bijvoorbeeld superieure betrouwbaarheid zonder storingen, zelfs wanneer 1360 V wordt toegepast gedurende meer dan 1000 uur bij 85 ° C en 85% luchtvochtigheid, in tegenstelling tot conventionele IGBT-modules die doorgaans binnen 1000 uur falen als gevolg van diëlektrische afbreken. Om het hoogste niveau van betrouwbaarheid te garanderen, heeft ROHM de lekstroom van de modules op verschillende intervallen getest met het hoogste niveau van blokkerende spanning 1700V.

2. Superieure AAN-weerstand draagt ​​bij aan grotere energiebesparingen

Door ROHM's SiC Schottky-barrièrediodes en MOSFET's in dezelfde module te combineren, is het mogelijk om de AAN-weerstand met 10% te verminderen in vergelijking met andere producten in zijn klasse, wat bijdraagt ​​aan verbeterde energiebesparingen.

Onderdeel nr.	Absolute maximale beoordelingen (Ta = 25 ° C)	Zelfinductie (nH)	Pakket (mm)	Thermistor
VDSS (V)	VGS (V)	ID (A)	Tj max (ºC)	Tstg (ºC)	Visol (V)
BSM080D12P2C008	1200	-6 tot 22	80	175	-40 tot 125	2500	25	C Type 45,6 x 122 x 17	NA
BSM120D12P2C005	120
BSM180D12P3C007	-4 tot 22	180
BSM180D12P2E002	-6 tot 22	180	13	E Type 62 x 152 x 17	JA
BSM300D12P2E001	300
BSM400D12P3G002	-4 tot 22	400	10	G-type 62 x 152 x 17
BSM600D12P3G001	600
BSM250D17P2E004	1700	-6 tot 22	250	3400	13	E Type 62 x 152 x 17