De uitvinding van de transistor zorgde voor een revolutie in de elektronica-industrie, deze eenvoudige apparaten worden op grote schaal gebruikt als schakelcomponenten in bijna alle elektronische apparaten. Een transistor en een hoogwaardige geheugentechnologie zoals RAM worden gebruikt in een computerchip voor het verwerken en opslaan van de informatie. Maar tot op heden kunnen ze niet met elkaar worden gecombineerd of dichter bij elkaar worden geplaatst omdat de geheugeneenheden zijn gemaakt van ferro-elektrisch materiaal en de transistors zijn gemaakt van silicium, een halfgeleidermateriaal.
De Engineers van Purdue University hebben een manier ontwikkeld om transistors informatie op te laten slaan. Ze hebben dit bereikt door het probleem van het combineren van de transistor met het ferro-elektrische RAM op te lossen. Deze combinatie was eerder niet mogelijk vanwege problemen die optraden tijdens de interface van silicium en ferro-elektrisch materiaal, daarom werkt de RAM altijd als een afzonderlijke eenheid, wat het potentieel om computergebruik veel efficiënter te maken beperkt.
Een team onder leiding van Peide Ye, de Richard J. en Mary Jo Schwartz Professor of Electrical and Computer Engineering bij Purdue loste het probleem op door een halfgeleider te gebruiken met een ferro-elektrische eigenschap, zodat beide apparaten ferro-elektrisch van aard zijn en ze gemakkelijk samen kunnen worden gebruikt. Het nieuwe halfgeleiderapparaat heette de Ferroelectric Semiconductor Field Effect Transistor.
De nieuwe transistor is gemaakt met het materiaal "Alpha Indium Selenide" dat niet alleen een ferro-elektrische eigenschap heeft, maar ook een van de grote problemen aanpakt van ferro-elektrische materialen die als isolator fungeren vanwege de brede bandafstand. Maar wat het verschil betreft, heeft Alpha Indium Selenide een kleinere bandafstand in vergelijking met ander ferro-elektrisch materiaal, waardoor het als een halfgeleider kan werken zonder zijn ferro-elektrische eigenschappen te verliezen. Deze transistors hadden vergelijkbare prestaties getoond als de bestaande ferro-elektrische veldeffecttransistors.